技術編號：6983994
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種高電子遷移率晶體管(HEMT)，更加具體地說，涉及氮化鋁鎵(AlGaN)/氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。背景技術 AlGaN/GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)器件在半導體領域是眾所周知的。美國專利5192987和5296395描述了AlGaN/GaN HEMT結構和制造方法。在1998年6月12日提交的題目為“在半絕緣的碳化硅基板上的基于氮化物的晶體管”的共同轉讓的美國專利申請序列號NO.09/095967中公開了改進...
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