技術(shù)編號(hào)：6983940
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及一種4H-SiC PN穿通型二極管器件。 背景技術(shù)碳化硅(SiC)材料是典型的第三代寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料，以硅(Si)為代表的 第一代半導(dǎo)體材料和以砷化鎵(GaAs)為代表的第二代半導(dǎo)體材料具有許多的優(yōu)點(diǎn)，如碳 化硅材料具有較大的禁帶寬度和高的電場(chǎng)強(qiáng)度，可在更高溫度下工作，同時(shí)有助于高壓大 電流電力半導(dǎo)體器件的研制；又如碳化硅材料具有較大的飽和漂移速度和遷移率，又為制 備快速高頻半導(dǎo)體器件提供了良好的條件。目前，碳化硅(SiC)器件的研制已...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。