技術(shù)編號：6983332
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種基片處理裝置及其處理方法，尤其是涉及一種適用于以高的清潔度蝕刻或清潔半導(dǎo)體基片的周邊部分或背面的基片處理裝置。背景技術(shù) 近幾年，所屬領(lǐng)域的注意力已轉(zhuǎn)移至在半導(dǎo)體基片的溝槽中嵌入一種內(nèi)連接材料以形成波紋形的內(nèi)部連接件，例如由銅構(gòu)成的內(nèi)部連接件。同時還試圖在半導(dǎo)體基片中形成具有高電容率的電容器電極。在兩種情況下，所需的金屬或金屬化合物都是通過噴涂或類似的方式在一半導(dǎo)體基片上形成薄膜。此時，薄膜不僅形成于所述半導(dǎo)體基片的表面，還形成于所述半導(dǎo)體基片...
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