技術(shù)編號：6983070
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種退火晶片的制造方法以及退火晶片，特別涉及一種即使是大口徑晶片，也可降低滑動位錯產(chǎn)生的退火晶片的制造方法以及退火晶片。背景技術(shù) 近年來，推動器件工藝的高積體化、微細(xì)化，對硅晶片而言，謀求提升捕獲表層的器件活性區(qū)域的完全性與內(nèi)部(bulk)中的氧析出物構(gòu)成的內(nèi)部微小缺陷(BMD)的增加等引起的金屬等雜質(zhì)的吸附能力。對上述要求而嘗試各種方法。例如，為了消除晶片表面的缺陷(主要是生長(Grown in)缺陷)，對于用切克勞斯基法(CZ法)而獲得的晶片...
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