技術(shù)編號(hào)：6982401
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，詳細(xì)地說，涉及通過在被處理體、例如半導(dǎo)體晶片上形成薄膜后，去除附著在裝置內(nèi)部的附著物的。背景技術(shù) 在半導(dǎo)體裝置制造工序中，通過CVD(Chemical Vapor Deposition)等處理，進(jìn)行在被處理體、例如半導(dǎo)體晶片上形成氧化硅膜、氮化硅膜等薄膜的薄膜形成處理。在進(jìn)行這樣的薄膜形成處理時(shí)，使用例如如圖15所示的熱處理裝置51，按如下方法在半導(dǎo)體晶片上形成薄膜。首先，用加熱器53將由內(nèi)管52a和外管52b構(gòu)成的雙層管結(jié)構(gòu)的反應(yīng)管52加熱到...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。