技術(shù)編號(hào):6981561
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種用于產(chǎn)生具有本征吸除的絕緣體襯底硅(SOI)結(jié)構(gòu)的方法。更具體地說(shuō),本發(fā)明涉及一種用于產(chǎn)生具有本征吸除的SOI結(jié)構(gòu)的方法,其中硅片或襯底(基底)經(jīng)受一理想析出晶片熱處理,所述理想析出晶片熱處理使襯底能在基本上是任何任意的電子器件制造工藝熱處理周期過(guò)程中形成一種理想的氧析出物非均勻深度分布,并且其中通過(guò)在表面下方注入氧或氮離子、或分子氧并使晶片退火而在襯底的表面下方形成一介電層。此外,硅襯底可以在初始時(shí)包括一外延層,或者可以在本發(fā)明的方法過(guò)程中...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。