技術(shù)編號(hào)：6981180
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種高頻固態(tài)晶體管，更具體地說，涉及III族氮化物基高電子遷移率晶體管(HEMTs)。背景技術(shù) HEMT是一種常見的固態(tài)晶體管，其通常由諸如硅(Si)或砷化鎵(GaAs)的半導(dǎo)體材料構(gòu)成。Si的一缺點(diǎn)是電子遷移率低(約1450cm2/V-S)，這會(huì)產(chǎn)生高源電阻(high source resistance)。此電阻可使Si基HEMT的高性能增益劣化[CRC Press，The Electrical Engineering Handbook，Sec...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。