技術(shù)編號(hào)：6979074
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及磁性存儲(chǔ)器及其驅(qū)動(dòng)方法，以及使用這種存儲(chǔ)器的磁性隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器(MRAM)等磁存儲(chǔ)裝置。背景技術(shù) 隧道磁阻效應(yīng)(TMRtunnel magnetoresistance)元件包含隧道(阻擋層barrier)層和夾著該層的一對(duì)磁性層。TMR元件中，利用一對(duì)磁性層中磁化方向的相對(duì)角度差異產(chǎn)生的自旋隧道效果。自旋閥型的TMR元件中，一對(duì)磁性層包含磁化難以旋轉(zhuǎn)的固定磁性層與磁化容易旋轉(zhuǎn)的自由磁性層。自由磁性層具有存儲(chǔ)器層的功能，其信息作為磁化方向而被記錄。...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。