技術(shù)編號(hào)：6974765
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體發(fā)光元件(以下簡(jiǎn)稱“發(fā)光元件”)，特別是涉及其發(fā)光層由GaN系列半導(dǎo)體晶體(GaN系列晶體)構(gòu)成的半導(dǎo)體發(fā)光元件。背景技術(shù) 發(fā)光二極管(LED)的基本的元件結(jié)構(gòu)呈這樣的結(jié)構(gòu)在晶體襯底上依次生長(zhǎng)n型半導(dǎo)體層、發(fā)光層(包括DH結(jié)構(gòu)、MQW結(jié)構(gòu)、SQW結(jié)構(gòu))、p型半導(dǎo)體層，在n型層或?qū)щ娦跃w襯底(SiC襯底、DaN襯底等)及p型層各層上形成外部引出電極。例如，圖8是表示將GaN系列半導(dǎo)體作為發(fā)光層的材料的元件(GaN系列LED)的一個(gè)結(jié)構(gòu)例的圖...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。