技術(shù)編號(hào)：6969850
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及橫向結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，特別涉及一種在保持滿意的擊穿電壓特性同時(shí)，可使其導(dǎo)通電阻(ON resistance)減小的橫向結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。背景技術(shù) 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(下稱JFET)具有pn結(jié)，該結(jié)設(shè)在載流子所通過之溝道區(qū)的任何一側(cè)，并從柵極加給反向偏壓，以使耗盡層從所述pn結(jié)延伸至所述溝道區(qū)，從而控制該溝道區(qū)的電導(dǎo)，實(shí)現(xiàn)比如切換操作。特別是一種橫向JEFT，它涉及一種載流子與器件表面平行地通過溝道區(qū)移動(dòng)的JEFT。溝道中的載流子可為電子(n-型)或...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。