技術(shù)編號(hào)：6968859
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種，該器件包括襯底上的氮化物化合物半導(dǎo)體層。背景技術(shù) 諸如GaN、AlGaN、GaInN、AlGaInN和AlBGaInN的III族氮化物系化合物半導(dǎo)體(以下稱為氮化物系化合物半導(dǎo)體)的特性包括其具有比諸如AlGaInAs和AlGaInP的III-V族化合物半導(dǎo)體更大的帶隙能Eg；以及其為直接躍遷半導(dǎo)體(direct transition semiconductor)。因?yàn)檫@些特性，氮化物系化合物半導(dǎo)體作為諸如半導(dǎo)體激光器件和發(fā)光二極管(LED...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。