技術(shù)編號：6968621
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。該實用新型涉及一種功率場效應(yīng)晶體管(VDMOS)，屬半導(dǎo)體功率器件。背景技術(shù)垂直導(dǎo)電雙擴(kuò)散場效應(yīng)晶體管(VDMOS)是目前功率場效應(yīng)晶體管的主要類型，傳統(tǒng)工藝制造的器件剖面結(jié)構(gòu)圖見附圖1，P阱是由兩部分組合而成位于中心的濃度較大、 結(jié)深較大的P+區(qū)和面積較大(包裹并重疊P+區(qū))、濃度較小、結(jié)深較小的P-區(qū)疊加而成一個碗狀的P阱區(qū)。傳統(tǒng)工藝P阱加工成碗狀的目的是為了減小源極擴(kuò)散區(qū)N+/P阱/N-外延層這三層結(jié)構(gòu)寄生形成的NPN管的影響，寄生NPN管的觸發(fā)遲早...
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