技術編號：6968324
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及化合物半導體晶片(compound semiconductor wafer)的制備方法，特別是具有鏡面效果的拋光晶片(polishing sliced wafer)的制備方法和拋光后晶片存放的新方法。所述“化合物半導體”指的是有如砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)或磷化鎵(GaP)化合物的半導體。由多晶原材料，單晶通過晶體生長技術例如立式船(Vertical Boat，VB)方法、液體膠囊提拉法(Liquid-Encapsulated Czoc...
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