技術(shù)編號(hào)：6968056
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種氮化鎵(GaN)系發(fā)光二極管，特別是涉及一種具有低溫ρ型GaN 層的氮化鎵系發(fā)光二極管。背景技術(shù)目前III-V族半導(dǎo)體光電材料被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料。而GaN系發(fā)光二極管， 由于可以通過(guò)控制材料的組成來(lái)制作出各種色光(尤其是需要高能隙的藍(lán)光或紫光)的發(fā) 光二極管(簡(jiǎn)稱(chēng)為“LED” )，而成為業(yè)界研究的重點(diǎn)。以GaN為基礎(chǔ)的半導(dǎo)體材料或器件的外延生長(zhǎng)目前主要采用MOCVD技術(shù)。在利用 MOCVD技術(shù)生長(zhǎng)氮化物半導(dǎo)體(GaN、AlN、InN及它們...
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