技術(shù)編號：6967009
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及一種散熱裝置，尤其是涉及一種能夠?qū)GBT模塊散熱的散熱器。 背景技術(shù)IGBT是英文hsulated Gate Bipolar Transistor的縮寫，中文名稱為絕緣柵雙極型晶體管。實(shí)踐中，常把IGBT半橋模塊和IGBT整流模塊等都簡稱為IGBT模塊，該模塊在使用時產(chǎn)生大量熱量，需要及時將熱量散發(fā)出去，因而需要散熱器對模塊進(jìn)行散熱。目前， 現(xiàn)有的IGBT散熱器一般包括進(jìn)水口、出水口和散熱板，但均是在散熱器的一個表面單面排列模塊，在散熱器的...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。