技術(shù)編號：6961303
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域，特別是涉及一種。 背景技術(shù)在集成電路的金屬硅化物制作工藝中，需要在大部分區(qū)域的有源區(qū)(表面為硅材 料的區(qū)域)形成金屬硅化物，但也有部分區(qū)域的有源區(qū)是不能形成金屬硅化物的，如高阻 多晶硅區(qū)、隔離有源區(qū)等區(qū)域。因此，在制作金屬硅化物之前，需要先在這部分區(qū)域形成金 屬硅化物阻擋結(jié)構(gòu)(salicide block layer，SAB)，利用金屬硅化物阻擋結(jié)構(gòu)不會與鈦或鈷 等金屬發(fā)生反應(yīng)的特性， 以防止在這部分區(qū)域形成金屬硅化物。目前，金...
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