技術(shù)編號(hào)：6960987
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，其中實(shí)施熱處理以控制硅晶片的表面氧濃度。 特別地，本發(fā)明涉及可以實(shí)現(xiàn)在半導(dǎo)體器件內(nèi)所期望的強(qiáng)度和電阻的硅晶片，以及硅晶片 的制造方法，其中實(shí)施熱處理以控制硅晶片的表面氧濃度。背景技術(shù)晶體源生顆粒(COP)是空隙缺陷，通常存在于由硅單晶錠通過晶片加工形成的硅 基材上。因?yàn)镃OP會(huì)損害器件的特性和產(chǎn)率，硅晶片是通過退火硅基材以消除COP而制造 的(例如參見日本專利申請(qǐng)公開JP 10-098047)。此外，硅晶片通常是通過抑制硅單晶錠中COP的產(chǎn)生而...
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