技術編號：6960530
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體器件工藝領域，尤其涉及。 背景技術隨著半導體技術的發(fā)展，金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)已經得到 了廣泛的應用。近年來，以硅集成電路為核心的微電子技術得到了迅速的發(fā)展，集成電路芯 片的發(fā)展基本上遵循摩爾定律，即半導體芯片的集成度以每18個月翻一番的速度增長。可 是隨著半導體芯片集成度的不斷增加，MOSFET的溝道長度也在不斷的縮短，當MOSFET的溝 道長度變得非常短時，短溝道效應會使半導體芯片性能劣化，甚至無法正常工作。隨...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。