技術(shù)編號：6960116
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是關(guān)于一種制備絕緣體上硅材料的方法，特別涉及一種采用吸雜工藝制備 帶有絕緣埋層的半導(dǎo)體襯底的方法。背景技術(shù)隨著集成電路的特征尺寸的減小，對硅單晶中缺陷的控制變得尤其重要。硅片 中的缺陷主要來自兩方面，一方面是晶體生長的過程中產(chǎn)生的原生缺陷，如晶體原生粒子 (COPs)；另一方面是硅片熱處理過程中產(chǎn)生的缺陷，如氧沉淀，這些缺陷如果在硅片表面的 活性區(qū)，將對器件的性能有著破壞作用，使器件失效。此外，硅片在加工和集成電路制造的 過程中不可避免地要受到如Cu...
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