技術編號：6960003
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種在超級結MOSFET中集成肖特基二極管的方法。 背景技術從20世紀60年代早期的小規(guī)模集成電路時代以來，半導體微芯片的性能已得到了巨大的提高。通過器件做得越小，在芯片上放置得越緊密，芯片的速度就會得到提高。常規(guī)的提高MOSFET器件(金屬氧化物半導體場效應晶體管)反向恢復速度的方法有兩種一種是在N型外延層中摻入重金屬雜質(zhì)或者通過輻照的方法在N型外延層中形成一定的復合中心，從而達到降低少數(shù)載流子在N型外延層中的反向恢復時間，提高MOSFET 的...
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