技術(shù)編號：6959807
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路制造工藝，特別是涉及一種自對準(zhǔn)接觸孔刻蝕 (Self Aligned Contact Etch)方法。背景技術(shù)有很多種，其中一種是利用多晶硅柵極上的氮化硅作為保護層，以及PSG(磷硅玻璃)對氧化硅的選擇比來實現(xiàn)的，這種方法包括如下步驟第1步，請參閱圖la，采用光刻和刻蝕工藝在襯底10之上刻蝕出多晶硅柵極12， 多晶硅柵極12和襯底10之間為柵氧化層11，多晶硅柵極12之上為1000 2000A厚度的氮化硅13。第2步，請參閱圖l...
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