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同一襯底上具有高壓元件和低壓元件的半導(dǎo)體裝置的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):6959803

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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置,更具體而言,本申請(qǐng)涉及一種在同一襯底上具有高壓元 件和低壓元件的半導(dǎo)體裝置。背景技術(shù)高壓半導(dǎo)體一般在同一襯底上使用高壓元件和低壓元件。在一些只有一個(gè)或少數(shù) 幾個(gè)高壓裝置的應(yīng)用中,高壓裝置通常用作被稱為“開(kāi)集或開(kāi)漏“的配置。這意謂著電路中 的高壓節(jié)點(diǎn)僅連接雙極晶體管的集電極或MOS晶體管的漏極。電路中的低壓部分可由外 部低壓電源供電或由一個(gè)片上高壓裝置供電。上述結(jié)構(gòu)允許利用簡(jiǎn)單并因此相對(duì)不昂貴的的工藝來(lái)制造上述半導(dǎo)體電路。在任何將高壓和...
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