技術(shù)編號(hào):6959803
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置,更具體而言,本申請(qǐng)涉及一種在同一襯底上具有高壓元 件和低壓元件的半導(dǎo)體裝置。背景技術(shù)高壓半導(dǎo)體一般在同一襯底上使用高壓元件和低壓元件。在一些只有一個(gè)或少數(shù) 幾個(gè)高壓裝置的應(yīng)用中,高壓裝置通常用作被稱為“開(kāi)集或開(kāi)漏“的配置。這意謂著電路中 的高壓節(jié)點(diǎn)僅連接雙極晶體管的集電極或MOS晶體管的漏極。電路中的低壓部分可由外 部低壓電源供電或由一個(gè)片上高壓裝置供電。上述結(jié)構(gòu)允許利用簡(jiǎn)單并因此相對(duì)不昂貴的的工藝來(lái)制造上述半導(dǎo)體電路。在任何將高壓和...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。