技術(shù)編號(hào)：6959711
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝，特別涉及利用應(yīng)力記憶技術(shù)制造NMOS半導(dǎo)體器件的工藝。背景技術(shù)集成電路的制造需要根據(jù)指定的電路布局在給定的芯片區(qū)域上形成大量的電路元件?？紤]到操作速度、耗電量及成本效率的優(yōu)異特性，COMS技術(shù)目前是最有前景的用于制造復(fù)雜電路的方法之一。在使用COMS技術(shù)制造復(fù)雜的集成電路時(shí)，有數(shù)百萬個(gè)晶體管(例如，N溝道晶體管與P溝道晶體管)形成于包含結(jié)晶半導(dǎo)體層的襯底上。不論所研究的是N 溝道晶體管還是P溝道晶體管，MOS晶體管都含有所謂的PN...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。