技術(shù)編號：6957864
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種集成電路制造技術(shù)，具體涉及一種集成電路制造緩沖高溫工藝中應(yīng)用的方法。背景技術(shù)在半導(dǎo)體集成電路芯片制造中，薄膜沉積、蝕刻以及晶圓高溫處理都是形成器件必不可少的工藝過程。薄膜的沉積工藝本身也需要一定的溫度，因此在降溫到常溫后，薄膜內(nèi)部就存在一定的應(yīng)力，根據(jù)薄膜的密度和沉積溫度，對硅片和上下層膜起到拉伸或擠壓的作用。這樣的薄膜若經(jīng)過蝕刻，膜層不再完整，那么之后在高溫工藝下，局部應(yīng)力有可能釋放出來，造成整個膜層在結(jié)合不太牢固的層次剝離，形成缺陷。由于...
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