技術編號：6957832
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及相變材料及制備方法，尤其是指一種用于相變存儲器的Sb2Tex-SiO2納米復合相變材料及制備方法，屬于半導體存儲器的相關領域。背景技術隨著信息的高速發(fā)展，數據信息量激增，對信息存儲量的要求也劇增。而目前市場主流的非易失性存儲器Flash讀寫速度比較緩慢，循環(huán)壽命短，尺寸縮小也將達到極限，必將被下一代新型存儲器所取代。相變存儲器滿足了人們對非易失性器的需要，而且其制造工藝也相當簡單，因此引來了越來越多人的關注。相變存儲器采用以Ge2Sb2Te5為代...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。