技術(shù)編號：6957655
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體制造設(shè)備范圍，特別涉及半導(dǎo)體超淺結(jié)制造的一種用于深紫外激光退火的加熱片臺掃描裝置。背景技術(shù)隨著集成電路和大容量存儲器為代表的半導(dǎo)體器件工藝節(jié)點從65nm，45nm進入到32nm，要求制作出具有重?fù)诫s的、超淺的MOS器件源漏擴展區(qū)的器件結(jié)構(gòu)，即在工藝上提出了制作超淺結(jié)(Ultra-Shallow Junction，簡稱USJ)的要求。此時超淺結(jié)的方塊電阻為 810-900 Ω/sq，結(jié)深為 9_10nm，結(jié)的陡度為 1. 8-2. Onm/d...
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