技術(shù)編號：6957256
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種。背景技術(shù)相變存儲器(Phase Change Random Access Memory, PCRAM)技術(shù)是基于 S. R. Ovshinsky在20世紀60年代末提出相變薄膜可以應(yīng)用于相變存儲介質(zhì)的構(gòu)想建立起來的。作為一種新興的非易失性存儲技術(shù)，相變存儲器在讀寫速度、讀寫次數(shù)、數(shù)據(jù)保持時間、單元面積、多值實現(xiàn)等諸多方面對快閃存儲器都具有較大的優(yōu)越性，已成為目前非揮發(fā)存儲技術(shù)研究的焦點。在相變存儲器中，可以通過施加不同的電壓...
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