技術(shù)編號：6957181
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及具有標(biāo)記區(qū)域(mark region)和源極區(qū)域的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置、特別 是使用了碳化硅的。背景技術(shù)碳化硅的絕緣擊穿電場約為硅的絕緣擊穿電場的10倍，碳化硅的帶隙約為硅的 帶隙的3倍。因此，使用了碳化硅的功率器件與使用了當(dāng)前所使用的硅的功率器件相比， 具有如下特征能夠以低電阻在高溫下進(jìn)行動作。特別是，對于使用了碳化硅的MOSFET或 IGBT來說，在相同的耐壓下與使用了硅的MOSFET或IGBT相比的情況下，非常期待通常時以 及開關(guān)時的損失變小，...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。