技術(shù)編號(hào):6956428
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù),特別涉及一種。 背景技術(shù)圖1 圖14為現(xiàn)有技術(shù)中的過(guò)程剖面示意圖,該方法主要包括步驟101,參見(jiàn)圖1,提供一半導(dǎo)體襯底1001,在半導(dǎo)體襯底1001上形成N阱1002、 P阱1003以及淺溝槽隔離區(qū)(STI) 1004。首先,采用雙阱工藝來(lái)定義N型金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOQ管和P型金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)管的有源區(qū),從而得到N阱1002和P阱1003。然后,在半導(dǎo)體襯底1001上形成STI 1004,用于電絕緣所形成的NMOS管和...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。