技術編號：6956333
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于碳基集成電路制造，具體涉及一種在石墨烯表面淀積高k柵 介質的方法。背景技術根據(jù)摩爾定律，芯片的集成度每18個月至2年提高一倍，即加工線寬縮小一半。硅 材料的加工極限一般認為是10納米線寬，硅基集成電路在11納米后無法突破其物理局限 包括電流傳輸損耗，量子效應，熱效應等，因此很難生產(chǎn)出性能穩(wěn)定、集成度更高的產(chǎn)品。隨 著半導體技術的不斷發(fā)展，硅基集成電路器件尺寸距離其物理極限越來越近。為延長摩爾定律的壽命，國際半導體工業(yè)界紛紛提出超越硅技術(Beyo...
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