技術(shù)編號：6955897
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及硅太陽能電池領(lǐng)域，具體是涉及一種處理硅太陽能電池表面漏電 的方法。背景技術(shù)太陽能電池表面的PN結(jié)在制造過程中會產(chǎn)生很多缺陷，這些缺陷無法用邊緣刻 蝕的方法去除，收集到的電流會經(jīng)過這些缺陷漏到另一個缺陷，而不經(jīng)過負載，包含這些缺 陷的區(qū)域被稱為表面漏電區(qū)。太陽能電池的表面漏電區(qū)對電池性能有很大影響，漏電會增 加反向電流，降低最大功率，開路電壓，填充因子，從而使電池的效率降低，另外，漏電嚴重 的電池并聯(lián)電阻太小，無法在光伏組件中使用。表面漏電區(qū)的分布...
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