技術(shù)編號：6955713
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域，特別是涉及一種。 背景技術(shù)隨著集成電路集成度的不斷提高，鋁作為內(nèi)連線材料其性能已難以滿足集成電路的要求，銅較鋁具有低的電阻率和更高的抗電遷移能力，因此在深亞微米技術(shù)中得到了廣泛的應(yīng)用。然而，銅又是導(dǎo)致半導(dǎo)體器件失效的元兇，這主要是因?yàn)殂~是一種重金屬，在高溫和加電場的情況下，可以在半導(dǎo)體硅片和二氧化硅中快速擴(kuò)散，引起器件可靠性方面的問題。因此，業(yè)界通常在銅布線層上形成擴(kuò)散阻擋層，所述擴(kuò)散阻擋層的材料通常選自氮化硅或碳化硅等比較致密...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。