技術編號：6955591
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種。 背景技術隨著技術節(jié)點的降低，傳統(tǒng)的柵介質層不斷變薄，晶體管漏電量隨之增加，引起半導體器件功耗浪費等問題。為解決上述問題，現(xiàn)有技術提供一種將金屬柵極替代多晶硅柵極的解決方案。其中，“后柵極(gate last)”工藝為形成金屬柵極的一個主要工藝。專利公開號為CN101438389A的中國專利申請?zhí)峁┮环N使用“后柵極”工藝形成金屬柵極的方法，包括提供基底，所述基底上形成有替代柵結構、及位于所述基底上覆蓋所述替代柵結構的...
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