技術(shù)編號：6955163
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝，特別涉及用于刻蝕腔的變壓耦合式等離子體窗及包括其的刻蝕腔。背景技術(shù)刻蝕是半導(dǎo)體工藝中非常關(guān)鍵的步驟。半導(dǎo)體工藝中的干法刻蝕都是在密閉真空的刻蝕腔中進(jìn)行的。圖1示出了現(xiàn)有的刻蝕腔的截面示意圖，圖2示出了現(xiàn)有的用于刻蝕腔的變壓耦合式等離子體窗的俯視示意圖。如圖1、圖2所示，刻蝕腔100的頂部設(shè)置有變壓耦合式等離子體窗101 (Transformer Coupled Plasma，TCP)，變壓耦合式等離子體窗 101上設(shè)置有進(jìn)氣孔10...
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