技術(shù)編號(hào)：6954738
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種。 背景技術(shù)雙極互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體(Bipolar CMOS，BiCMOS)是將CMOS和雙極器件同時(shí)集成在同一塊芯片上的技術(shù)，其基本思想是以CMOS器件為主要單元電路，而在要求 驅(qū)動(dòng)大電容負(fù)載之處加入雙極器件或電路。因此BiCMOS電路既具有CMOS電路高集成 度、低功耗的優(yōu)點(diǎn)，又獲得了雙極電路高速、強(qiáng)電流驅(qū)動(dòng)能力的優(yōu)勢(shì)。為了使得雙極互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體的各器件之間獲得較好的隔離效果，通常采 用深溝槽隔離工藝(Deep Trench Isol...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。