技術(shù)編號：6954670
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明揭示生長在陶瓷襯底的氮化鎵基芯片(包括半導(dǎo)體發(fā)光二極管)及制造的方法和工藝，屬于半導(dǎo)體電子。背景技術(shù)目前，藍(lán)寶石襯底是生長氮化鎵基芯片(包括半導(dǎo)體發(fā)光二極管(LED)、氮化鎵基高電子遷移率晶體管，等)的通用的生長襯底，關(guān)于這一技術(shù)路線，已有數(shù)千項專利。為了制造垂直結(jié)構(gòu)的氮化鎵基芯片，通用的方法是采用激光剝離的方法剝離藍(lán)寶石，已有多項專利覆蓋這一技術(shù)。但是，藍(lán)寶石襯底與氮化鎵基外延層之間的晶格常數(shù)的匹配較差，熱脹系數(shù)的匹配較差，藍(lán)寶石襯底的熱導(dǎo)率低和價...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。