技術(shù)編號(hào):6952201
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。具有高反射、低電壓結(jié)構(gòu)的倒裝發(fā)光二極管及制備方法,涉及一種新型的LED器 件結(jié)構(gòu),屬于光電子。背景技術(shù)近年來(lái),高亮度AlGaInP發(fā)光二極管(LED)由于在大屏幕彩色顯示、交通指示等領(lǐng) 域的廣泛應(yīng)用,受到人們廣泛關(guān)注。盡管AlGaInP LED的內(nèi)量子效率接近100%,但是其提 取效率仍舊很低,主要原因是向上發(fā)出的光受到表面全內(nèi)反射效應(yīng)的限制,只有一小部分 光才能出射到表面,而向下發(fā)的光卻幾乎被GaAs襯底全部吸收。表面粗化緩解了全內(nèi)反 射的問(wèn)題,給光子逃...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。