技術(shù)編號(hào):6952125
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶片等被處理體的處理裝置和載置臺(tái)結(jié)構(gòu)。 背景技術(shù)一般,在半導(dǎo)體集成電路的制造中,對(duì)半導(dǎo)體晶片等被處理體反復(fù)進(jìn)行成膜處 理、蝕刻處理、熱處理、改性處理、結(jié)晶處理等各種單晶片處理,形成所希望的集成電 路。在進(jìn)行上述各種處理時(shí),與該處理的種類對(duì)應(yīng)地將必要的處理氣體向處理容器內(nèi)導(dǎo) 入,例如,在成膜處理的情況下導(dǎo)入成膜氣體或鹵素氣體,在改性處理的情況下導(dǎo)入臭 氧氣體,在結(jié)晶處理的情況下導(dǎo)入N2氣體等惰性氣體或O2氣體等。作為一片片地對(duì)半導(dǎo)體晶片實(shí)施熱...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。