技術編號：6952093
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體器件結構和制造方法，尤其涉及高壓VDMOS器件結構及其制造 方法。背景技術高壓VDMOS器件作為功率半導體器件，由若干VDMOS管(即VDMOS元胞)相互并聯(lián) 組成，其等效電路圖如圖1所示，圖中的M1、M1、M3、M4、……、Mn分別代表各并聯(lián)的VDMOS 元胞；rll、rl2、rl3、rl4、……、rln分別代表各并聯(lián)VDMOS元胞對應的等效柵極電阻；Cl、 C2、C3、C4、……、Cn分別代表各并聯(lián)VDMOS元胞對應的等效柵極電容。一般...
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