技術(shù)編號(hào)：6951930
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別涉及MOS晶體管及其制作方法。 背景技術(shù)金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)晶體管是半導(dǎo)體制造中的最基本器件，其廣泛適用于各種集成電路中，根據(jù)主要載流子以及制造時(shí)的摻雜類型不同，分為NMOS和PMOS晶體管?，F(xiàn)有技術(shù)提供了一種MOS晶體管的制作方法。請(qǐng)參考圖1至圖3，為現(xiàn)有技術(shù)的 MOS晶體管的制作方法剖面結(jié)構(gòu)示意圖。請(qǐng)參考圖1，提供半導(dǎo)體襯底100，在所述半導(dǎo)體襯底100內(nèi)形成隔離結(jié)構(gòu)101，所述隔離結(jié)構(gòu)101之間的半導(dǎo)體襯底100為...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。