技術(shù)編號:6951803
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管制作方法,特別是一種薄膜氮化鎵基發(fā)光二極管的制 作方法。背景技術(shù)近年來,為了提高氮化鎵(GaN)基發(fā)光二極管(LED)的發(fā)光效率和散熱性能,業(yè)界 陸續(xù)推出了基于襯底轉(zhuǎn)移的薄膜(Thin-film)芯片技術(shù)。在薄膜GaN基芯片制作過程中, η型GaN基外延層在襯底轉(zhuǎn)移后其表面一般呈氮極性,雖然可以在氮極性面的η型GaN基 外延層之上獲得非合金的歐姆接觸,但非合金的接觸電極存在熱穩(wěn)定性差和黏附不牢等諸 多問題?,F(xiàn)有的技術(shù)一般通過快速熱退...
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