技術(shù)編號：6951802
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管芯片的制作方法，特別是一種具有電流阻擋層氮化鎵 基發(fā)光二極管的制作方法。背景技術(shù)傳統(tǒng)的發(fā)光二極管，其芯片頂部一般都要布置金屬電極，一方面是為了電流更好 的擴展，另一方面也必須提供用于焊線的焊盤；但金屬電極的存在會造成有源層發(fā)出的光 被遮擋，并且大多數(shù)金屬電極的反射率不高，所以會降低發(fā)光二極管的出光效率。為了避免 有源層發(fā)出的光被金屬電極遮擋或者吸收，必須抑制或者減少金屬電極正下方有源層載流 子輸運和復(fù)合發(fā)光。解決方案之一就是在芯片結(jié)...
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