技術(shù)編號(hào)：6951088
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本 發(fā)明一般涉及集成電路，更特別地，涉及金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)器件和用 于連接到MOS器件的接觸塞。背景技術(shù)在現(xiàn)代集成電路中，半導(dǎo)體器件形成在半導(dǎo)體襯底上，并且通過金屬化層連 接。金屬化層通過接觸塞(contact plug)連接到半導(dǎo)體器件。同樣地，外部焊盤也通過 接觸塞連接到半導(dǎo)體器件。典型地，接觸塞的形成工藝包括在半導(dǎo)體器件的上方形成層間電介質(zhì)(ILD)， 在ILD內(nèi)形成接觸開口，以及用金屬材料填充接觸開口。但是，隨著集成電路尺寸按比 例縮小需要...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。