技術(shù)編號：6950834
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，特別涉及。背景技術(shù)目前業(yè)界將硅鍺的選擇性外延生長工藝應(yīng)用在半導(dǎo)體工藝上，以增加載流子的遷移率和成本效益。埋置硅鍺(SiGe)技術(shù)對于生產(chǎn)基于硅的高性能晶體管來說已經(jīng)成為一種有前景的技術(shù)。鍺原子的半徑比硅原子的半徑大，所以當(dāng)鍺原子取代部份硅原子，進(jìn)入硅的晶格(lattice)中時，整個晶格會因此而扭曲。在載流子的電荷密度相同時，晶格扭曲的硅或硅鍺合金和單晶硅比起來，其電子和空穴的移動性都大幅增加，分別增加5和10倍左右，如此...
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