技術(shù)編號(hào):6950608
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種包括封裝的半導(dǎo)體芯片和金屬板的半導(dǎo)體設(shè)備。 背景技術(shù)常規(guī)地,具有半導(dǎo)體元件比如IGBT的半導(dǎo)體芯片與金屬塊和/或散熱板封裝 在一起以使得形成封裝半導(dǎo)體裝備。這個(gè)裝備例如在日本專利No. 3750680 (相應(yīng)于USP 7,009,292)中描述。在這個(gè)裝備中,發(fā)射鋁電極形成于半導(dǎo)體基板的表面上,IGBT形成于 其上。而且,柵極布線層通過(guò)LOCOS氧化膜和絕緣膜形成于基板的表面上。為了隔離發(fā)射鋁電極和柵極布線層以便不會(huì)短路,形成保護(hù)膜來(lái)覆蓋柵極...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。