技術(shù)編號(hào)：6950606
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及對(duì)環(huán)狀附著在襯底的周緣部上的聚合物進(jìn)行除去的聚合物除去裝置 以及聚合物除去方法。背景技術(shù)在半導(dǎo)體集成電路的制造中，對(duì)半導(dǎo)體晶片等被處理基板進(jìn)行等離子蝕刻，但在 等離子中發(fā)生的原子團(tuán)或離子向被處理基板的周緣部的傾斜面以及背面蔓延，聚合物附 著在傾斜面以及背面上，在被處理基板的周緣部上以圓周狀形成被稱為傾斜/后方聚合物 (Bevel/Backside Polymer，以下稱為BSP)的堆積層。BSP可能會(huì)對(duì)半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)生不 好的影響，因此，需要將...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。