技術(shù)編號：6950570
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種。 背景技術(shù)在現(xiàn)有技術(shù)中，發(fā)光二極管一般包括基板、成長在所述基板上的氮化鎵(GaN)緩沖層、成長在所述氮化鎵(GaN)緩沖層上的的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)。上述發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)容易產(chǎn)生以下問題所述發(fā)光結(jié)構(gòu)朝向基板一側(cè)發(fā)出的光線進入基板后，被限制在基板內(nèi)直到能量消耗殆盡，從而造成光損失，影響發(fā)光二極管的光取出效率。發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，有必要提供一種具有較高光取出效率的。一種發(fā)光二極管，包括基板、緩沖層、半導(dǎo)體層及半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)，緩沖層位于基板之上，半導(dǎo)體層...
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