技術(shù)編號(hào):6950430
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的示例實(shí)施例涉及半導(dǎo)體制造技術(shù),更具體地涉及制造半導(dǎo)體器件中的隔 離結(jié)構(gòu)的方法。背景技術(shù)在形成器件隔離層時(shí),使用氮化物層作為硬掩模。在形成器件隔離層之后,使用磷 酸(H3PO4)進(jìn)行濕法剝離工藝以去除硬掩模。同時(shí),隨著半導(dǎo)體器件變小,用于形成器件隔離層的隔離材料從通過(guò)使用高密度 等離子體(HDP)工藝形成的材料或硼磷硅酸鹽玻璃(BPSG)變成旋涂電介質(zhì)(SOD)。此外, 同時(shí)可以使用各種氧化物層來(lái)形成器件隔離層。在通過(guò)使用磷酸(H3PO4)進(jìn)行濕法剝...
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