技術(shù)編號(hào)：6949748
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的實(shí)施方式一般涉及半導(dǎo)體處理設(shè)備。更具體地，本發(fā)明的實(shí)施方式涉及 用于半導(dǎo)體制造的化學(xué)氣相沉積(CVD)系統(tǒng)和使用該系統(tǒng)的原地干洗方法。背景技術(shù)當(dāng)襯底表面暴露在氧氣中時(shí)，一般會(huì)形成天然氧化物。在大氣條件下，將襯底在處 理腔之間移動(dòng)時(shí)或者當(dāng)殘留在真空腔中的少量氧接觸襯底表面時(shí)會(huì)發(fā)生氧氣暴露(oxygen exposure) 0如果襯底表面在蝕刻過程中被污染，那么也可能產(chǎn)生天然氧化物。天然氧化物 一般在襯底表面上形成一個(gè)不希望有的薄膜。盡管天然氧化物薄膜...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。