技術(shù)編號：6949647
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及LED制備，更具體地說，涉及GaN基LED外延片、芯片及器件。 背景技術(shù)目前多量子阱GaN基LED通常是通過在藍寶石襯底的C面上外延生長C面(<0001> 方向)GaN基材料而制備出的。由于III-VI族氮化物材料的空間結(jié)構(gòu)不具有空間中心反演 對稱，并且V族元素的原子和N原子的電負性相差很大，因此上述GaN基材料沿<0001〉方 向具有很強的極性，并產(chǎn)生極化效應(yīng)。這一極化效應(yīng)將產(chǎn)生強度較高的內(nèi)建極化電場(壓 電電場)，而上述內(nèi)建...
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